Intel y Micron han anunciado en una conferencia de web que van a introducir una nueva tecnologia de memoria llamado 3D Xpoint que es 1000 veces mas rapido que NAND Flash memoria, 1000 veces mas resistenta y 10 veces mas denso.
Primeros productos van a aparacer en el proximo ano en forma de 128Gbit chips.
www.hispazone.com/Noticia/8947/Intel-y-Micron-desarrollan-3D-Xpoint-una-memoria-1000-veces-mas-rapida-que-la-NAND-Flash.html
No he encontrado mas fuentes espanolas con mas detalles.
Este enlace da mas informaciones tecnicos sobre la tecnologia.
www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1327289
Se podria decir que se trata de memoria resistiva (ReRam,memristor) aunque realizados con nuevas composiciónes de materiales inventado por Intel y Micron.
pagina web de Intel: newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2015/07/28/intel-and-micron-produce-breakthrough-memory-technology
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Suerte que siempre miro si algo está antes de publicar nada. 
ha, lo sabia Cdaked. Lo siento. XD
