Intel y Micron estaban muy callados sobre las detalles de su nueva tecnologia 3D Xpoint.
Algunas revistas online suponian que se podria tratarse de ReRAM de filamentos o CRAM.
Al contrario, Intel solo mencionaba que se trataría de una especie de memoria resistiva que muestra una reacción en los interruptores con propiedades de materiales cambiando en colectivo (bulk switching behaviour).
Como he descubrido hay una empresa que trabaja desde 12 años en una nueva tecnología de memoria no volátil, igual de rápido que DRAM y usa nanotubos de carbono como material activo. La empresa se llama Nantero y la tecnologia NRAM.
www.electronicosonline.com/2015/08/03/empresa-desarrollara-memorias-ram-de-nanotubos/
El NRAM funciona un poco como un relé. Un tejido de nanotubos de carbono desordenado tiene una alta resistencia porque los nanotubos únicos no estan muy bien conectados . Este estado representa la información 0.
Si ahora una voltaje determinada esta aplicado a los nanotubos estos se orientan hacia entre ellos asi reduciendo la resistencia electrica.
Este nuevo estado de resistencia baja representa la información 1.
La tecnología promete de estar cientos veces mas rápido que NAND, no volátil, igual rápido que DRAM y tener miles veces mas durabilidad que NAND.
Además la tecnología ya se encuentra en varias manufacturas así como 3D XPoint.
No sé, pero a mi me parece que ambas tecnologías tienen muchas características comúnes.
Algunos empleados de alto rango de Intel, Micron y TSMC han quitado su puesto para trabajar a Nantero.
Hasta ahora la empresa ha recogido 71 millones de dolares y dicen que quieren vender primeros productos el proximo año.
Igual que Intel y Micron van a producir sus primeros chips con litografía de 2xnm.
Aqui hay un enlace a una búsqueda de Google sobre este tema.
www.google.de/webhp?hl=de#q=nantero&hl=de&tbm=nws
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