Por el Foresight Institute y el Eric Drexler y su libro "Engines of Creation" fue por lo que descubrí estas cosillas. La técnica de beam pen litography se parece mucho a otra que se llamaba nanopantography, que funcionaba usando millones de agujeros para enfocar los haces de iones, haciendo que todos dibujaran lo mismo en millones de cópias. Incluso creo que podían cortar o eliminiar un ión mal colocado. Pero de esta técnica hace mucho que no oigo nada.
He encontrado esta patente, que es del 2011, pero todo ello me suena ya del 2005 o así.
El caso es que servía para colocar iones metálicos e incluso cortar con ellos. Se conseguían resoluciones de 1nm.
Artículo en nano-letters
PDF que explica el tema con más detalle
Mirando el tema en la universidad de Houston, me he encontrado que hay gente trabajando en ello
(Viva LinkedIn) Me he topado con un tal
Siyuan Tian
PhD Student at University of Houston
Que parece que sigue trabajando en ello.
University of Houston
septiembre de 2011 – actualidad (3 años 5 meses)University of Houston
Currently working on project "sub-10nm Nanopantography and plasma etching amplification of latent patterns"
Nanopantography is a new patterning method for massively parallel writing of nanofeatures over large area. Billions of nano electrostatic lens are first fabricated on top of wafer using conventional semiconductor manufacturing processes. A broad area, collimated, monoenergetic ion beam is then directed towards the wafer surface. By applying appropriate focusing voltages to the lenses array with respect to the wafer, the ion beamlet entering each lens converge to a fine spot focused on the wafer surface that can be 100 times smaller than the diameter of the lens. By controlling the tilt of the substrate with respect to ion beam, the focused ion beamlets can “write” a desired pattern in a massively parallel fashion.By choosing different types of ion species, patterning by nanopantography can be either subtractive (i.e., etching) or additive (i.e., deposition).
1. Design and build a drastically new massively parallel pattern system, namely Nanopantography. Demonstrate sub-10 nm patterning capability: 3nm hole and 7 nm trench etched on silicon.
2. Develop plasma etching latent pattern amplification method for nanopantography using TEL RLSA plasma etcher, significantly improve throughput by over 30 times.
3. Pulsed plasma mono energetic ion beam generation and characterization.
4. Nano electrostatic lens array fabrication using conventional semiconductor fabrication processes.
5. Optical analysis of nano electrostatic lens and experimental validation
Equipo: AMD Ryzen 9 3900X; Gigabyte Aorus 3080 Ti Master; DDR4 32GB 4GHz C16.